本發明公開了一種GaAs單晶位錯坑的腐蝕方法及腐蝕液配方,涉及化學工藝技術領域。所述方法包括:將包括晶向偏轉角在預設偏轉角范圍內的待測GaAs{100}晶片的觀察面進行拋光處理,獲得待測晶片;按照預設比例配制氫氟酸、雙氧水、去離子水的混合液為腐蝕液,并將其置于腐蝕槽中;將腐蝕槽置于有冰水混合物的水浴鍋內,并維持腐蝕槽內腐蝕液溫度在3~8℃范圍內;開啟光源,使光照射在所述腐蝕槽底部;將待測晶片置于鏤空底座上,并將鏤空底座放入所述腐蝕槽內,使鏤空底座上的待測晶片處于腐蝕槽中冷光源的照射范圍內,并令腐蝕液浸沒待測晶片,反應30~50分鐘。本發明能避免腐蝕過程中晶片碎裂,以及能夠降低腐蝕掉量。
聲明:
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