提出一種半導體裝置的制造方法。本文描述了測試墊結構及測試墊的形成方法。一種用于形成測試墊的方法，包括：形成裝置元件于基板上方；沉積介電層于裝置元件及基板上方；以及蝕刻開口于介電層中至第一深度。一旦形成開口，沉積導電材料于開口中，隨后化學機械平坦化，以形成測試墊的第一柵格部件及面板區，第一柵格部件從面板區縱向延伸至測試墊的周邊。一旦形成，可在裝置元件的晶圓接受度測試(wafer acceptance test,WAT)及/或制程控制監視(process control monitoring,PCM)測試期間使用探針來接觸測試墊的面板區。
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編輯：管理員
來源：中冶有色網
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2025年08月07日 ~ 09日 
