本發明提供了一種三維分層納米陣列結構銅基材料及其制備方法和應用,采用的制備方法是以泡沫銅為基底,采用化學浸泡法、化學氣相沉積法和電沉積法在泡沫銅基底上逐步生長磷化亞銅納米線陣列,無定形磷化鎳銅鐵納米片,從而得到NiCuFeP@Cu3P/CF電極材料。該制備方法簡單易操作、成本低。將NiCuFeP@Cu3P/CF用于電解水制氫的電極時,僅需38?54mV的過電勢就能達到10mA·cm?2的電流密度,3000圈循環測試后性能未有明顯衰減,說明該材料對電催化制氫反應具有優異的性能,且穩定性良好。
聲明:
“三維分層納米陣列結構銅基材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)