本發明的目的在于提供一種具有光伏特性的拓撲絕緣體薄膜及其制備方法,其特征在于,利用化學氣相沉積方法制備:將拓撲絕緣體材料蒸發沉積在硅基片上,得到拓撲絕緣體薄膜。該薄膜具有全日光波段光電響應能力,用太陽光作為光源,n-TI/p-Si或p-TI/n-Si雙層結構薄膜光電響應時間低于1秒,所測樣品面積在9-15平方毫米,最強太陽光強度為200W/m2,開路光電壓達0.1V,短路光電流達幾十微安,隨薄膜面積和太陽光強度的增加而增加,適用于太陽能電池。
聲明:
“具有光伏特性的拓撲絕緣體薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)