本發明公開了一種監控CMP研磨劑的腐蝕抑制劑的方法,包括:一、在CMP設備研磨墊(3)下方接入工作電極(1),同時在研磨劑(4)中接入參考電極和微電極,參考電極和微電極分別與工作電極連接并與一臺處理器連接以測量電流和電勢;二、在研磨劑中加入腐蝕抑制劑,在硅片(2)上方施加壓力并使硅片和研磨墊產生摩擦作用;三、跟蹤處理器上實時的電流和電勢的變化來評價腐蝕抑制劑的性能,四、記錄三的結果并選定合適的研磨劑中腐蝕抑制劑用于。上述步驟一中工作電極與硅片在硅片的每一個循環周期會接觸一次。本發明在CMP過程引入摩擦電化學技術來監控中金屬表面的特性變化,從而獲得相應的腐蝕抑制劑的精確信息并可據此選擇合適的腐蝕抑制劑。
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