本發明涉及碲溶劑溶液法生長碲鋅鎘晶體的裝置和方法,屬特殊晶體生長技術領域。其特點包括:將化學計量配比滿足Cd1-xZnxTe(x=0.04~0.5)的純度為7N的高純Cd、Zn、Te原料裝入石英坩堝內,再向其中加入質量百分數為30%~80%的過量Te,抽真空熔封并在搖擺爐中合成;將合成結束的石英坩堝放入晶體生長裝置中,由于過量Te的加入,晶體的生長溫度可以從1092℃~1295℃下降到700~900℃;晶體生長過程開始之前,使石英坩堝處于高溫區,使其內部的碲鋅鎘多晶和溶劑Te均處于液相,然后以0.04~2mm/h的速度上升爐體,溫度梯度區的溫度梯度在15-25℃/cm,隨著溫度的降低,溶液中碲鋅鎘的飽和度下降,則坩堝底部不斷飽和析出碲鋅鎘晶體,同時采用不同的施主摻雜(In、Cl-1、Al等)來提高碲鋅鎘晶體的電阻率,從而制備出探測器級碲鋅鎘晶體。采用本發明生長碲鋅鎘晶體顯著降低了晶體的生長溫度、晶體中雜質濃度及晶體中的缺陷密度。
聲明:
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