本發明的高速生長金剛石單晶的裝置和方法屬金剛石材料技術領域。所說的裝置是在化學氣相沉積系統沉積室內的襯底架上裝有的樣品托5;樣品托5是在多晶金剛石薄膜1上面裝有閉合的環形框2。也可以在環形框2內的孔洞中放置金剛石微粉3。本發明的方法是,將單晶金剛石籽晶4置于環形框2的孔洞中放入沉積室,對籽晶進行在位等離子體先期刻蝕;然后在甲烷、氫氣和氮氣氣氛中生長金剛石單晶。方法包括在位觀測生長面亮度變化確定處理可能出現的非金剛石相及結構孔洞。本發明的裝置結構簡單適用;易于加工;對生長單晶金剛石不產生任何污染;導熱好。本發明的方法可以獲得透明的金剛石單晶,生長速度能大于100微米/小時。
聲明:
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