本發明屬于納米材料制備技術領域,公開了一種二維硫化鎢基垂直異質結構材料的制備方法。所述硫化鎢基垂直異質結構的制備方法為:采用化學氣相沉積法,以Si/SiO2為襯底,磁控濺射的Mo/W薄膜為Mo、W源,與硫蒸氣反應,在Mo/W薄膜附近三個不同區域制備得到WS2基垂直異質結構,即WS2/MoS2、WS2/MoS2?Mo0.42W0.58S2、WS2/Mo1?xWxS2(0≤x≤0.75)。所得WS2基垂直異質結構的形貌為兩種不同尺寸的晶體堆疊而成的三角形,可作為晶體管的溝道材料應用于超薄電子器件領域。本發明所述制備方法選用磁控濺射的Mo/W超薄薄膜作為Mo、W源,通過Mo、W源蒸發溫度的差異和有效蒸發面積的不同,以及隨時間和距離變化的Mo、W源的濃度分布,成功實現二維WS2基垂直異質結構的組分調變。所述WS2基垂直異質結構具有可調的發射光波長,在光探測器件中有潛在的應用價值。
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“二維硫化鎢基垂直異質結構材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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