本發明涉及在集成電路設計期間快速模擬制造影響的設備、方法和系統。方法、設備和計算機程序產品提供了一種快速和準確的模型,用于模擬在集成電路制造期間的化學機械拋光(CMP)步驟的影響,通過產生集成電路的設計;在產生所述集成電路的設計時,使用簡化的模型來預測所述集成電路的由在所述集成電路的制造期間將要使用的CMP處理步驟引起的至少一個物理特性,其中所述簡化的模型源于在使用綜合模擬程序的設計產生活動之前進行的模擬,所述綜合模擬程序用于對所述物理特性進行建模;使用所述預測的物理特性來預測所述集成電路的性能;以及根據所述性能預測來調整所述集成電路的設計。
聲明:
“在集成電路設計期間快速模擬制造影響的設備、方法和系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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