本發明公開了一種CdS/MoS2/Mo雙層核殼結構光電極的制備方法,步驟如下:以鉬網作為基底,以可溶性鎘鹽作為鎘源,將金屬鎘沉積在鉬網上,將沉積好的鉬網置于硫化氫氣氛中進行硫化,即得到CdS/MoS2/Mo雙層核殼結構光電極。本發明制備的CdS/MoS2/Mo雙層核殼結構光電極的光電轉化效率高,有較大的應用前景。經實驗研究發現CdS/MoS2/Mo雙層核殼結構光電極光電化學產氫性能,在光電化學測試中光電流超過三毫安,在主要吸光區域光電轉化效率接近20%,性能優于傳統FTO玻璃上制備的硫化鎘電極。
聲明:
“CdS/MoS2/Mo雙層核殼結構光電極” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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