本發明涉及倍半氧化物單晶光纖及其制備方法與應用,該光纖的化學組成為摻雜熒光離子的氧化镥單晶,所述的熒光離子為Tm3+、Yb3+或Ho3+。直徑范圍:0.7?2.0mm,長度>10cm。本發明采用激光加熱基座法生長氧化镥單晶光纖,其熔點高達2510℃。本發明摻雜Tm3+、Yb3+、Ho3+氧化镥單晶光纖結合了單晶光纖高熱導率、高硬度、高強度、高韌性、及穩定的化學性能等優良的物化性能,和Tm3+、Yb3+、Ho3+熒光摻雜離子靈敏度高和頻帶寬等優點,可用作制備新型的高溫熒光探測材料。
聲明:
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