本發明公開了一種提高n型氧化亞銅薄膜載流子濃度的熱處理方法。該方法的步驟如下:將電化學沉積制備所得的n型氧化亞銅薄膜放入熱處理爐中進行除碳;將熱處理爐溫度升高至120?C至150?C,保溫1~2小時;除碳過程后,將熱處理爐溫度升至300?C至400?C,保溫1~2小時;熱處理后,熱處理爐溫度自然降溫至常溫,將n型氧化亞銅薄膜取出并進行測試。本發明是對電化學沉積的n型氧化亞銅薄膜進行先除碳,再熱處理的方法。通過除碳過程,可以去除在沉積過程中n型氧化亞銅薄膜中的有機雜質,然后對氧化亞銅薄膜進行熱處理,通過控制熱處理溫度與時間,提高n型氧化亞銅薄膜載流子濃度。
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