本發明公開了一種使用低壓化學氣相沉積工藝沉積薄膜的方法,該方法包括:在穩定階段和沉積階段中,維持爐管的加熱器中的各個溫區的溫度不變,且各個溫區的溫度值按照各個溫區的位置從上到下的順序依次減小;在晶舟裝載階段、抽真空階段、檢漏階段、后清除階段、返壓階段和晶舟卸載階段中的至少一個階段中,調整爐管的加熱器中的各個溫區的溫度。通過使用本發明所提供的方法,可有效地減小在薄膜的形成過程中裝載在晶舟上的各個晶圓之間的熱預算差值,改善半導體元器件的電學性能,提高所生產的半導體元器件的良率,降低制造成本。
聲明:
“使用LPCVD工藝沉積薄膜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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