一種(200)擇優取向硫化鉛薄膜的制備方法,屬于電子材料技術領域,涉及半導體光電薄膜及紅外光電探測器,具體是指采用化學浴沉積法制備用于近紅外光電探測器的(200)擇優取向的硫化鉛薄膜的方法。本發明采用化學浴沉積法,通過設計反應前驅物溶液的配置流程,嚴格控制薄膜的初始成核過程,并通過后續的高溫敏化過程,獲得(200)擇優取向的立方晶相硫化鉛薄膜。本發明所制備的硫化鉛薄膜具有良好的均勻性和光敏特性,可用于近紅外光電探測器。本發明整個制備工藝過程簡單、易控,制備裝置簡單、成本低廉。
聲明:
“(200)擇優取向硫化鉛薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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