本發明公開了一種基于四氧化三鈷納米線陣列的酒精氣體傳感器,該酒精氣體傳感器包括絕緣基片、電極層和傳感導電體,所述的傳感導電體是由水熱法直接生長于絕緣基片上的四氧化三鈷納米陣列構成。本發明還提供了所述酒精氣體傳感器的制備方法,首先采用公知的熱蒸發、濺射或化學蒸發沉積鍍膜技術將電極層材料沉積在絕緣基片的兩端,并控制其厚度;然后利用水熱法直接在絕緣基片上生長四氧化三鈷納米陣列,作為該氣體傳感器的傳感導電體。該制備過程產物結晶性好,生產周期短,沒有污染,且避免了分散或操縱納米材料的困難,便于工業化生產;且得到的氣體傳感器對酒精檢測有優異的靈敏度,并表現出較好的選擇性、穩定性和重復性。
聲明:
“基于四氧化三鈷納米線陣列的酒精氣體傳感器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)