本發明涉及一種新型摻雜半導體的制備方法。其特征在于:以Zn(CH3COO)2?2H2O為鋅源,以AgNO3溶液為銀源,以CdCl2?2.5H2O為鎘源,攪拌均勻,得到混合溶液,在氮氣保護下,用谷胱甘肽(GSH)作為穩定劑,在堿性水溶液中,以Na2S?9H2O為硫源,水浴加熱,反應得到摻雜半導體。該制備方法工藝簡單,原料易得,能耗低,量子點粒徑均勻,具有優良的水溶性,優異的電化學性能和熒光性能,熒光發射峰位可調,在熒光探針、光電轉換、重金屬離子檢測等方面有很大的應用前景。
聲明:
“新型摻雜半導體的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)