本發明提供一種研磨墊及使用了該研磨墊的半 導體器件的制造方法。即使在使用堿性料漿或酸性料漿進行研 磨的情況下,也可以在從使用開始直至使用結束的長時間內持 續維持高精度的光學終點檢測。本發明的研磨墊被用于化學機 械拋光中,具有研磨區域及透光區域,所述透光區域的浸漬于 pH11的KOH水溶液或pH4的 H2O2水溶液中24小時后的測定波長λ下的透光率 T1 (%)與浸漬前的測定波長λ 下的透光率T0 (%)的差ΔT(ΔT =T0- T1)(%),在測定波長400~ 700nm的全部范圍內在10(%)以內。
聲明:
“研磨墊及半導體器件的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)