本發明涉及腦機接口技術領域,具體涉及一種新型神經電極及其制作方法,包括基底層,所述基底層的表面設置傳播組件,所述傳播組件包括波導層和適配體層,所述適配體層位于所述波導層的表面并且能夠結合神經遞質,所述適配體層結合神經遞質后在所述波導層表面發生質量負載的增加,所述波導層傳播聲波的幅度和相位也相應發生變化,以便實現神經電極對神經功能活動的檢測。本發明通過能夠結合神經遞質的適配體層特異性采集化學信號,然后利用質量負載效應傳遞信號,使得對相關組織區域神經功能活動的檢測更加精確。
聲明:
“新型神經電極及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)