本發明提供一種半導體柵極版圖及其修正方法、半導體結構形成方法,所述半導體柵極版圖修正方法,包括:提供包括若干柵極圖形的半導體柵極版圖,所述半導體柵極版圖包括第一區塊和第二區塊,所述第一區塊對應于晶體管形成區,所述第二區塊對應于二極管形成區;對第一區塊進行檢測,若在預定面積的區域內柵極圖形總面積小于標準面積,則在所述預定面積的區域內、對應第一淺溝槽隔離區的位置添加第一偽柵極圖形;對第二區塊進行檢測,若在預定面積的區域內柵極圖形總面積小于標準面積,則在所述預定面積的區域內、對應極區的位置添加第二偽柵極圖形。能夠改善化學機械拋光的工藝可靠性和均勻度,保持二極管集成度,降低芯片成本。
聲明:
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