本發明提供一種在泡沫鎳表面生成粗糙CuS納米片陣列的制備方法及其應用,該方法是先將泡沫鎳進行預處理,再在泡沫鎳表面生成銅單質層,然后采用水熱法制備出在泡沫鎳表面生成的粗糙CuS納米片陣列,其設計路線具有產物純度高、粒徑分布均勻和綠色環保的特點;制備的材料具有交錯的粗糙納米片狀結構,納米片大小均勻且相互交錯生長,片與片之間形成很好的空隙,有很好的陣列結構,有助于電化學過程中離子的轉移;同時粗糙的片狀結構可以增大電極的比表面積,使電極材料與電解液之間有更大的接觸面積,具有更多的電化學活性位,有利于進行氧化還原反應。直接作為超級電容器電極材料進行恒流充放電性能檢測,具有良好的贗電容行為。
聲明:
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