本發明公開了一種基于掃描電鏡的元素晶界偏析半定量方法,該方法包括樣品制備、并在晶界處進行能譜分析,根據公示得到晶界處的偏析量,其中在晶界處和晶粒內的偏析元素固溶值來分別定義Nrb是參考元素的位密度,用軟件Casino模擬蒙特卡洛電子軌跡可得到電子束斑直徑d1,可以再根據公示可以得到偏析元素在晶界處的化學寬度。本發明在掃描電鏡的平臺下實現了晶界偏析的半定量,還具有制樣方便、操作相對容易等優點。本發明方法是通過掃描電鏡在晶界上收集能譜,并從晶界能譜中扣除晶粒的貢獻后,獲得晶界處的化學成分信息,能廣泛應用于材料表征技術領域。
聲明:
“基于掃描電鏡的元素晶界偏析半定量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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