本發明公開了一種聚吡咯包覆Co3O4納米線的三維陣列電極及其制備方法和應用,該聚吡咯包覆Co3O4納米線的三維陣列電極以泡沫銅為基底,在基底上負載聚吡咯包覆Co3O4納米線的三維陣列,Co3O4納米線的長度為1~1.8μm,直徑為100~130nm,聚吡咯包覆層的厚度為10~15nm,Co3O4納米線具有多晶結構。本發明降低了實驗成本,操作方法簡便,得到的改性電極有優異的電化學性能,并且利用三維陣列結構的優勢改善了Co3O4的導電性能,增加了電極材料的比表面積和活性位點,提高了Co3O4對于Pb2+的檢測能力;引入含氮的聚吡咯進一步改善電極材料的導電性,含氮基團能夠有效和Pb2+絡合,有利于檢測時Pb2+富集,進一步提升了傳感器對Pb2+檢測靈敏度的提高和檢測限的降低,在鉛離子監測等方面有廣闊的應用前景。
聲明:
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