本發明提供了一種鈣鈦礦薄膜缺陷態的氣相鈍化方法,包括如下步驟:(1)采用物理化學法將鈣鈦礦前驅液涂覆于導電基底上,經退火處理后形成鈣鈦礦薄膜;(2)將步驟(1)所述的涂覆有鈣鈦礦薄膜的導電基底送入反應腔內;(3)將特定的電壓加載于步驟(2)所述的導電基底上,進而實現向基底上涂覆的鈣鈦礦薄膜加載電壓;(4)使用緩沖氣體將用于缺陷態鈍化的氣體分子通入至步驟(2)所述的反應腔內,與步驟(3)所述的已加載電壓的鈣鈦礦薄膜進行化學反應;(5)將步驟(4)所述的鈣鈦礦薄膜和氣體分子的反應活性經原位表征系統進行檢測,根據反應活性的檢測結果即可判斷鈣鈦礦薄膜缺陷態的鈍化。所述方法是通過向鈣鈦礦薄膜施加電場,誘發鈣鈦礦薄膜缺陷態與氣體分子發生化學反應,實現鈣鈦礦薄膜缺陷態的鈍化。本發明具有條件可控、重復準確性高等優點。
聲明:
“鈣鈦礦薄膜缺陷態的氣相鈍化方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)