本發明公開聚吡咯表面修飾一維硅基氣敏材料及其制備方法,利用化學刻蝕和二次化學刻蝕處理單晶硅片,以使單晶硅片表面產生一維硅納米線陣列并進行二次刻蝕微結構改性處理;將引發劑溶液和吡咯單體溶液先后旋涂在經步驟2處理的單晶硅片,以使在一維硅納米線陣列中原位引發吡咯聚合成聚吡咯?;诒景l明方法,可以使有機物聚吡咯顆粒在硅納米線表面形成均勻修飾,獲得復合改性效果顯著的有機物?一維硅基納米復合氣敏材料,該敏感材料可以實現對NH3氣體在室溫下的瞬時檢測,并且具有良好的選擇性。
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