本發明一種聚合物平面納米溝道制作方法,屬于微納流控芯片制造技術領域,涉及一種聚合物平面納米溝道的制作方法,應用在生命科學、醫學、分析化學等領域。聚合物平面納米溝道制作方法首先基于標準的紫外光刻和化學濕法腐蝕技術在聚合物基片上制作出線寬為微米級的金屬掩蔽圖形,接著利用一臺等離子體清洗機對暴露在外的聚合物進行氧氣等離子體刻蝕,通過設定刻蝕時間,便可以精確控制聚合物納米溝道的刻蝕深度;最后利用化學濕法腐蝕去除金屬掩蔽圖形,便得到了聚合物平面納米溝道。本發明不需要為實現聚合物刻蝕而購買操作復雜、價格昂貴的反應離子刻蝕或感應耦合等離子體刻蝕設備。納米溝道的整個制作過程簡單、周期短、成本低。
聲明:
“聚合物平面納米溝道制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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