本發明提供一種CMP仿真模型的建立方法,包括:根據研磨液中化學組分的化學反應以及研磨顆粒的機械去除機理,建立化學動力去除模型,所述化學動力去除模型的去除速率至少與化學組分的濃度以及機械研磨速率相關;根據晶圓表面和研磨顆粒的受力分析以及研磨墊的形變分析,建立晶圓與研磨顆粒及研磨墊的接觸力學模型;建立研磨液化學組分在晶圓表面不同區域的濃度分布模型;根據所述接觸力學模型和所述濃度分布模型,通過所述化學動力去除模型建立多物理去除模型。該模型可以深刻闡釋晶圓表面材質的多物理去除機制,進而實現晶圓表面形貌以及工藝偏差的動態模擬,為CMP工藝中參數設置以及設計優化提供指導。
聲明:
“CMP仿真模型的建立方法及系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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