本發明涉及一種晶圓背面金屬層異常處理方法,本發明的方法對晶圓蒸鍍良率進行檢測分析,再對晶圓背面刻蝕處理,處理完成后進行二次蒸鍍,從而達到產品工藝需求,本發明的方法可在晶圓背面蒸鍍發生異常時,用濕法化學手段對晶圓背面金屬層進行刻蝕去除,防止了現有技術中晶圓背面異常處理不當,造成整片晶圓報廢的情況,從而節約了生產成本,提高了產品良率。
聲明:
“晶圓背面金屬層異常處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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