本發明公開了一種表面增強激光誘導擊穿光譜增強方法,該方法借助氬原子存在激發能態較低的亞穩態,容易電離產生電子的優勢,增加電子數密度,提高等離子體的發射光譜強度,改善表面增強激光誘導擊穿光譜技術(SENLIBS)的檢測極限。相對于現有的SENLIBS技術預處理方法,本發明方法避免了現有預處理方法(如液?液萃取,化學置換)的繁瑣性,提高了SENLIBS技術的分析效率。
聲明:
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