針對現有的制作工藝形成的溝槽型功率晶體管易出現漏電流過大問題,本發明人對其產生原因進行了分析,發現其中一個原因為:對功率晶體管溝槽外的多晶硅和柵極氧化層進行平坦化處理時,上述平坦化處理一般采用研磨法,例如化學機械研磨(CMP),對于柵極氧化層較薄的情況,上述研磨會由于終點難以檢測,造成功率晶體管溝槽開口處的多晶硅及周圍外延層出現過度研磨,從而造成功率晶體管的溝道過短,出現短溝道效應。針對上述問題,本發明提出一種新的溝槽型功率晶體管及其制作方法,其制作方法在外延層上至少形成研磨終止層,利用其對研磨過程進行終點檢測,從而避免過度研磨問題,也避免了制作的功率晶體管的短溝道效應,減小了源-漏漏電流。
聲明:
“溝槽型功率晶體管及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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