本發明公開了一種補償摻雜阻擋雜質帶太赫茲探測器芯片及其制備方法,包括在高導Si襯底上,采用化學氣相沉積工藝外延生長硅摻磷吸收層,摻雜磷離子;在吸收層上通過補償摻雜工藝外延生長高電阻率阻擋層,補償摻雜硼離子;再通過光刻、離子注入、快速熱退火、鈍化、濕法腐蝕、電子束蒸發等工藝制作正、負電極。本發明的優點在于:采用補償摻雜工藝,在外延生長阻擋層時,引入補償離子硼,提高了阻擋層電阻率,同時又易于控制阻擋層厚度,從而能有效降低暗電流,抑制噪聲,提高靈敏度;硼離子的引入可通過氣源開關得到很好的控制,該方法可很好地與傳統外延工藝兼容,具有簡單可行、操作方便等優點。
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