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            > 鉍硒硫半導體、制備及廣譜、超快偏振光電探測器

            鉍硒硫半導體、制備及廣譜、超快偏振光電探測器

            1075   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 07:29:08
            本發明提供了一種鉍硒硫半導體、制備及廣譜、超快偏振光電探測器。該鉍硒硫半導體為晶體,鉍硒硫半導體的化學結構式為BixSeySz,其中,1≤x≤2,0<y≤3,0<z≤3,且3x=2y+2z。上述的鉍硒硫半導體中,Bi2Se3半導體具有正交晶系結構,通過將S摻雜到Bi2Se3中,生長出BixSeySz半導體。相比Bi2Se3半導體,BixSeySz半導體的能帶結構得到優化和豐富,因此,以其構建的光電器件暗電流較低,探測范圍更廣,有助于實現光電器件的高性能。
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            “鉍硒硫半導體、制備及廣譜、超快偏振光電探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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