本申請公開了一種工藝顆粒監測處理的方法及半導體工藝設備,屬于半導體工藝技術。該方法在半導體工藝腔室閑置時,對半導體工藝腔室進行氣體吹掃,且實時監測半導體工藝腔室中的異常氣體濃度,得到相應的第一濃度值,異常氣體濃度與潛在工藝顆粒源的濃度正相關;若第一濃度值大于所述第一閾值,則在氣體吹掃的基礎上,將預設氣體通入半導體工藝腔室中,使得預設氣體與半導體工藝腔室中的潛在工藝顆粒源發生化學反應,生成相應的反應物顆粒,且反應物顆粒在氣體吹掃下進入與半導體工藝腔室連通的尾排處理器。本技術方案,可在半導體工藝處理過程中,有效清除半導體工藝腔室中的工藝顆粒,避免出現工藝顆粒超標影響產品良率的問題。
聲明:
“工藝顆粒監測處理的方法及半導體工藝設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)