本發明提出一種對表面過飽和摻雜光電探測器進行表面鈍化的方法,該方法在表面過飽和摻雜光電探測器的表面覆蓋兩層氫含量不同的非晶硅薄膜。非晶硅薄膜通過等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)形成。本發明的雙層含氫非晶硅薄膜結構一方面能夠與器件感光面的表面懸掛鍵結合,減少器件表面的電子與空穴的復合,降低暗電流,另一方面隔絕了空氣的污染,具有結構簡單,鈍化效果顯著的優點。
聲明:
“表面過飽和摻雜光電探測器的鈍化方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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