本發明公開了一種制備單層過渡金屬二硫化物柔性光電探測器的方法,包括如下步驟:首先以過渡金屬氧化物和升華硫為原料,采用化學氣相沉積法制備單層薄膜;接著采用真空鍍膜法,以銅網為硬質掩膜版在PDMS?1柔性基底上圖形化金屬電極;最后將單層過渡金屬二硫化物薄膜從生長襯底轉移到柔性基底,此過程先將單層過渡金屬二硫化物轉移到PMMA薄膜上,再將PMMA粘附有單層過渡金屬二硫化物薄膜的那一面貼附到PDMS?2上,溶解掉PMMA薄膜后以PDMS?2為支撐層,通過定位轉移法將單層過渡金屬二硫化物薄膜轉移到柔性基底PDMS?1上。本發明光電探測器表現出良好的光敏特性,本發明拓寬了單層過渡金屬二硫化物光電探測器在柔性電子設備的應用領域。
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