pn結MgxZn1-xO薄膜日盲區紫外探測器件屬于光電探測技術領域?,F有技術采用MgxZn1-xO薄膜作為光電轉換器件,其光譜響應度有待提高;而雖然pn結MgxZn1-xO薄膜因pn結的雪崩作用而具有很高的轉換效率,但只是被用做電光轉換器件。本發明采用pn結MgxZn1-xO薄膜,底部電極介于襯底與pn結MgxZn1-xO薄膜之間,偏置電壓電極、信號電壓電極位于pn結MgxZn1-xO薄膜上表面且相離,偏置電壓電極與底部電極為pn結MgxZn1-xO薄膜提供偏置電壓,信號電壓電極與底部電極將pn結MgxZn1-xO薄膜產生的信號電壓輸出。該方案應用于200~300nm紫外導彈尾焰探測、紫外告警、化學火焰探測等領域。
聲明:
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