本發明提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管探測器及其制備方法,所述低溫多晶硅薄膜晶體管探測器利用低溫多晶硅薄膜晶體管工藝制作。先利用化學氣相沉淀,在玻璃基板上沉積非晶硅薄膜層,利用準分子激光煺火的方法將非晶硅薄膜轉變為多晶硅薄膜,并制作多晶硅薄膜晶體管。在制作探測器時同時將一些驅動電路集成在玻璃基板上,從而獲得高集成度,降低探測器的成本,同時獲得更好的性能。
聲明:
“低溫多晶硅薄膜晶體管探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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