本發明一種基于二維材料Te/MoS2異質結的光探測器的制備方法,包括以下步驟:采用機械剝離或化學氣相沉積制作含有二維MoS2的襯底一;制備含有二維Te的襯底二;轉移二維Te形成異質結;光探測器件制備;對制備出的光探測器件進行高壓退火處理;在器件制備過程中通過減小Te/MoS2異質結中Te和MoS2的層間間距,將具有典型I型能帶排列結構的Te/MoS2異質結向II型能帶排列結構轉變,顯著提高了基于二維材料Te/MoS2異質結光探測器的光探測靈敏度。
聲明:
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