本發明公開了一種CdZnTe平面探測器表面處理方法,用于解決現有平面探測器表面處理方法處理后的平面探測器能量分辨率差的技術問題。技術方案是在CdZnTe晶片腐蝕之后,用(NH4)2S溶液對CdZnTe晶片表面進行鈍化,鈍化后用去離子水清洗,最后用真空蒸鍍機將晶片兩面鍍上Au電極。此鈍化方法去除了富Te層,形成CdS層沉積在晶體表面,化學計量配比得到改善,減少了電子在晶體表面的散射,腐蝕后形成的懸掛鍵被中和,有效降低了CdZnTe晶片表面的漏電流,提高了能量分辨率,提升了CdZnTe平面探測器的探測效率。經測試,CZT平面探測器的能量分辨率由之前大于6.5%提高到小于4.5%。
聲明:
“CdZnTe平面探測器表面處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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