本發明提供一種提高氧化物半導體基光電探測器性能的方法及所得到的氧化物半導體基光電探測器,該方法對基片上的有源層材料表面進行氟元素摻雜,從而填充制備有源層材料過程中產生的氧空位,然后制作電極形成光電探測器,氟元素摻雜使得光電探測器的探測率提高、恢復時間縮短,有源層材料為氧化物半導體;本發明對氧化物半導體薄膜的表面進行氟元素摻雜來填充氧空位,即電極/半導體之間的界面缺陷,進而改善氧化物半導體基光電探測器性能;氟相較于氧具有更大的電負性,能與鎵結合形成更為穩定的化學鍵,即鎵?氟鍵,因此能更加有效地對氧空位進行填充;氟表面摻雜不會影響到材料內部的晶格結構,且摻雜劑量可控、工藝簡單、降低工藝兼容性。
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