本發明涉及一種石墨烯增強型InGaAs紅外探測器,解決現有紅外探測器探測范圍窄和較高暗電流的技術問題。該石墨烯增強型InGaAs紅外探測器結構為:在襯底上依次生長的緩沖層、擴展波長的InGaAs吸收層、石墨烯蓋層,構成pin探測器結構。本發明公開了在襯底上以兩步法生長失配緩沖層的方法。采用適合金屬有機物化學氣相沉積技術生長又方便控制并且禁帶寬度大于擴展波長InGaAs材料的InAsP或InAlAs三元系材料,可有效避免失配位錯且適合于背面進光的透明緩沖層結構。本發明提出了使用石墨烯作為InGaAs紅外探測器的蓋層來擴展探測范圍和降低暗電流的方法,實現對探測器性能的提高,具有廣泛的應用前景。
聲明:
“石墨烯增強型InGaAs紅外探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)