本發明公開了一種用于紫外光電探測器的MgZnO納米線陣列的制備方法,包括:采用雙溫區化學氣相沉積管式爐,低溫區為鎂源,溫度為500?900℃;高溫區為鋅源,溫度為850?1100℃,鋅源為氧化鋅和碳粉的混合物;調整雙溫區化學氣相沉積管式爐的升溫速率為10℃/min,通入純度為99.99%的氮氣和純度為99.99%的氧氣的混合載氣,當低溫區、高溫區達到各自的溫度后,保溫20?30min,關斷混合載氣,然后抽真空、自然冷卻到室溫,得到MgZnO納米線陣列。本發明通過用雙溫區氣相沉積法制備納米線,不需要提前制備種子層,完全是無催化劑條件,在20?30min內即可制備成功,實現了納米線在無催化條件下的快速自生長,耗時短,操作簡單。
聲明:
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