本發明提供一種鍺基探測器的集成方法,包括以下步驟:提供第一襯底,在第一襯底上形成氮化硅波導結構;提供第二襯底,在第二襯底上外延鍺以形成鍺薄膜層,在鍺薄膜層上繼續外延鍺以形成鍺基外延層,并化學機械拋光;在鍺基外延層上沉積高k金屬氧化物以形成高k金屬氧化物層;將第二襯底的高k金屬氧化物層與第一襯底鍵合;減薄第二襯底至第一厚度,腐蝕掉第一厚度的第二襯底;化學機械拋光以去除鍺薄膜層;在鍺基外延層上制備形成鍺基探測器。本發明因為去除了低質量的鍺薄膜層,因此提高了后續形成的光電器件的性能。
聲明:
“鍺基探測器的集成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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