本發明公開了一種擴展波長近紅外探測器緩沖層的生長方法,其包括:在第一溫度下采用金屬有機化學氣相沉積工藝或分子束外延工藝在InP襯底上生長InxGa1?xAs低溫層、InAsyP1?y低溫層或InzAl1?zAs低溫層中的一種;將InP襯底的溫度升高到第二溫度,并對InxGa1?xAs低溫層、InAsyP1?y低溫層或InzAl1?zAs低溫層進行退火處理;在第三溫度下生長InwGa1?wAs組分漸變層、InAswP1?w組分漸變層或InwAl1?wAs組分漸變層中的一種,其中,第二溫度高于第一溫度,第三溫度高于第二溫度。本發明能夠減小緩沖層厚度、降低位錯密度,以獲得高速性能更加優良的探測器件。
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