本發明公開了一種基于二硒化鎢的自驅動光電探測器及其制備方法,屬于二維半導體光電探測器的設計和制備技術領域。所述的探測器材料為化學氣相沉積法生長的大面積二硒化鎢單層,利用探針將二維半導體刻畫成非對稱溝道,致使器件可以在零偏壓下工作,降低了功耗,進而制備無需源漏電壓即可工作的自驅動型光電探測器。本發明公開的基于二硒化鎢的自驅動光電探測器的制備方法簡單,易于操作,并且很容易推廣到其他化學氣相沉積法獲得的材料;采用干法轉移技術將兩個電極轉移到溝道材料表面,避免光刻工藝對材料產生破壞,減弱費米釘扎效應,使器件具有良好的柵控特性。
聲明:
“基于二硒化鎢的自驅動光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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