本發明公開了一種等離子體刻蝕測量有機膜深度方向上組分分布的方法,包括步驟:1)在光滑平整的氟化鈣襯底上制備有機膜,且有機膜厚度至少大于20納米;2)利用傅里葉紅外光譜儀測試有機膜的紅外振動光譜;3)利用等離子體逐層刻蝕有機膜,等離子體放電功率范圍20?200瓦,等離子體氣壓為1?30帕斯卡;刻蝕發生在有機膜表面并逐步減小薄膜的厚度,其后按刻蝕先后順序原位檢測和記錄有機膜的紅外振動光譜圖,直到有機膜被完全刻蝕掉;4)利用測得的不同厚度的共混有機膜的紅外光譜圖,使得相鄰紅外光譜圖的特征峰吸光度相減,依次計算和得到各個亞層中每個組分的特征官能團或化學鍵的吸光度的大小,以此來作為組分分布計算的依據。
聲明:
“等離子體刻蝕測量有機膜深度方向上組分分布的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)