本發明涉及碳化硅晶體制備技術領域,公開了一種,鉭制結構、鉭制結構的制備方法、測溫孔結構、坩堝組件、測溫孔防堵方法、碳化硅晶體制備方法。其中,坩堝組件包括:坩堝,包括坩堝體和坩堝蓋;坩堝體由第一石墨制成,坩堝體包括相互之間可拆卸連接的坩堝上截和坩堝下截;坩堝蓋由第二石墨制成,與坩堝體可拆卸連接并與坩堝體形成容置腔體;測溫孔結構,測溫孔結構設置在所述坩堝的上下兩端。通過上述技術方案,利用碳化鉭熔點高于碳化硅的升華溫度這一特性,且碳化鉭在高溫下對硅與氫具有的化學惰性,有效避免了富硅氣體對鉭制結構內壁的腐蝕,阻礙碳化硅生成在測溫孔中,這就不能提供大量的形核點供碳化硅后續的長大,避免了測溫孔的堵塞。
聲明:
“鉭制結構、測溫孔結構、坩堝組件、測溫孔防堵方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)