本發明屬于半導體材料技術領域,涉及利用光譜探測技術確定等離子體組分指導等離子輔助制備摻雜半導體材料的方法。利用光譜儀測量氣體源的射頻等離子體光發射譜,分析等離子體的化學組分。通過調節氣體源流量改變生長室壓力,調節射頻功率等促進對實驗有利的組分增加,減少其他組分的不利影響,選擇最佳實驗條件制備N摻雜的p型ZnO。本發明通過光譜儀測量等離子體的光發射譜,可實時了解并控制調節等離子體的化學組分,對提高等離子體輔助生長半導體材料尤其摻雜生長的質量及可控性具有重要作用。同時可提高材料的可重復性,向ZnO基發光器件的實現邁進了重要一步。
聲明:
“指導等離子體輔助制備半導體材料的光譜探測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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