本發明提供一種FinFET鰭片摻雜濃度分布的測量樣品制備方法,包括:提供半導體襯底,在半導體襯底上形成多個鰭片,在鰭片的頂部形成有硬掩膜層;形成襯墊氧化物層,以覆蓋半導體襯底的表面、鰭片的側壁以及硬掩膜層的側壁和頂部;在鰭片之間形成隔離結構;沉積絕緣層,以完全填充鰭片之間的間隙;執行化學機械研磨,直至絕緣層的頂部平坦化。本發明還提供一種FinFET鰭片摻雜濃度分布的測量方法,包括:將制備好的測量樣品分割為結構完全相同的第一子樣品和第二子樣品;分別對第一子樣品和第二子樣品實施二次離子質譜分析和透射電子顯微鏡橫截面分析;將得到的分析數據傳送至工藝計算機輔助設計工具模擬計算分析得到鰭片摻雜濃度分布。由此提高測量精確度。
聲明:
“FinFET鰭片摻雜濃度分布的測量方法和測量樣品制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)