本發明公開了一種低溫(150oC)檢測氮氧化物氣敏元件的制備方法:首先采用p型單晶硅作為基底,利用雙槽電化學的方法在基底表面制備多孔硅層;其次以金屬鎢作為耙材,利用磁控濺射的方法在多孔硅表面沉積金屬鎢薄膜;然后,在水平管式爐中采用熱退火金屬鎢薄膜的方法制備多孔硅/氧化鎢納米線復合結構;最后,在多孔硅/氧化鎢納米線復合結構表面沉積鉑電極,制得低溫檢測氮氧化物氣敏元件,其在低溫且對低濃度NOx氣體具有高靈敏度、高選擇性以及良好響應恢復特性。該方法具有設備簡單、操作方便、工藝參數易于控制、成本低的優點,具有重要的實踐與研究意義。
聲明:
“低溫檢測氮氧化物氣敏元件的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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