本發明提供一種CVD單晶金剛石位錯密度的檢測方法,包括單晶金剛石待測表面的研磨拋光和清洗,并通過化學腐蝕去除晶體表面機械損傷層,然后采用離子刻蝕的方法在單晶金剛石的待測表面形成位錯蝕坑,對待測表面取樣并對表面形貌進行檢測,統計取樣面積內位錯蝕坑數量,最后計算得到單晶金剛石的位錯密度,采用該方法可準確實現CVD單晶金剛石{100}或{111}晶面位錯密度的檢測。
聲明:
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